【原创】信息化战争的防御
2017-09-25 10:24:11
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【原创】信息化战争的防御 (简浩投稿)

文/简浩

电子产品充满了各行各业和日常生活,电子化、信息化、数字化、智能化的程度越来越高,然而,受现代战争和未来战争的电磁炸弹威胁也越大。打赢信息化战争的前提是能够防御首轮攻击首选武器电磁炸弹的袭击!电磁炸弹能够在局部空间产生极强的高频脉冲电磁波,辐射的瞬态浪涌电压和瞬态浪涌电流能够击穿电子设备的元器件,让电子设备瘫痪。

“有效屏蔽、有效接地、有效保护、电磁兼容”是防御电磁炸弹攻击的措施之一,其中有效保护的技术方案和保护原则是:择优保护,多重保护,分级保护,最佳匹配,快速响应,超大容量,稳定可靠。电子线路的输入端(in)、输出端(out)和电源(AC或DC及开关电源)各输入端口都要加以保护。器件的选用要取其长避其短,并要仿真、检验和老化每一个保护器件的品质、性能,确保可靠。下面介绍有效保护的技术方案和保护器件。

一,有效保护的技术方案:(注意实战经验和技巧的积累)

1,瞬态浪涌电压抑制保护。瞬态电压抑制二极管(TVS),是特殊的雪崩器件和高效能保护器件。在雪崩时具有低动态阻抗和低箝位电压,当TVS的两极收到反向瞬态浪涌尖峰电压冲击时,两极间的高阻抗瞬变为低阻抗,TVS比压敏电阻的特性优越的多。TVS有单双向之分,尽可能选用双向TVS。TVS具有响应速度快(小于1 ns)、体积小(表面贴装封装)、瞬态功率大、击穿电压偏差小、箝位电压易控制、无损坏极限、漏电流小、寿命长、可靠性高和受瞬变电压浪涌后其性能不会下降及价格低的特点。无需笨重的滤波组件,就可抑制浪涌、尖峰和瞬态的快速负载切换的冲击,如继电器、开关触点、固态负载切换等。还可抗御电源接反造成的损害,避免瞬间疏忽造成代价高昂的错误。

2,瞬态浪涌电流限制保护。晶闸管浪涌保护器件(TSPD),没有耗损特性。

3,共模浪涌保护网络。印刷电路板的合理设计布局对浪涌保护有很大影响。注意线路布局时要尽量减少电路的寄生电感和互感,尽可能的减少线路和敷线的长度。

4,差模浪涌保护网络。构成的多级防护电路稳定性好,多层次抑制浪涌。要符合IEEEC62.41-1991浪涌保护标准。

二,有效保护的器件类型:

【瞬态电压抑制二极管(TVS)】比如SMA6J5.0CA系列、ESD9L5.0S-D系列、ESD5Z2.5T1-D、BZW50-10、sm2t3v3a、SMM4F、LDP24A、SMM4F12A-TR、sm2t、MMT08B350T.REV0等;

【TVS 短路保护】比如SMP100LC二极管系列,短路电压8~400V,短路电流100A;

【TVS 数据线保护与网络保护】比如(集成IC)etp01-xx21、da108s1、dalc208、spt01-335dee、tpi、TPN3021等;

【TVS 终端保护与线路卡保护】比如TPP25011、TSIxxB1、lcdp1521、clp30-200b1等;

【晶闸管浪涌电流限制保护器件 (TSPD)】比如MMT05A230T3-D、MMT08B350T.REV0等;

【半导体放电二极管(TVSARRAY)】比如TPA270、TPN3021等;

【端口防雷保护(RS485、RS232端口)】比如SMP80MC-270、SMP80MC、etp01-xx21等;

【半导体防雷二极管】比如SMP80MC-270、SMP100LC、SMP80MC;

【自恢复保险丝(PPTC)】耐压30V/60V/90V/250V,电流0.1A~40A;

【压敏电阻(MOV)】工作电压2.5~48V;

【静电放电保护器(ESD)】比如ESD9R3.3S、dsilc6-4xx、usbulc6-2m6、lftvs7-1f3、esdal、dviulc6-2x6、MMT08B310T3-D等。


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